金融界2024年2月19日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法“，公开号CN117558744A，申请日期为2022年8月。
专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括：源极掺杂区、漏极掺杂区，以及位于所述源极掺杂区和所述漏极掺杂区之间且相邻设置的轻掺杂区和本征区，所述轻掺杂区与所述源极掺杂区相邻，所述本征区与所述漏极掺杂区相邻；其中，所述源极掺杂区、所述漏极掺杂区的掺杂浓度大于所述轻掺杂区的掺杂浓度。特殊形状非本征半导体机内测试装置凯时k66平台固态调制器